1. 廠牌與型號:RIGAKU, Geigerflex, Japan

2. 購置日期:1991.11

3. 儀器規格:

   (1). 電壓30 kV、電流20 mA
   (2). 靶材:銅 (λKα1=0.15405 nm)、鈷 (λKα1=0.17889 nm)
   (3). Detector: Scintillation Counter
   (4). 繞射角度(2θ):2-90°
   (5). 配備極圖繞射儀

4. 功能介紹:

分析一般僅提供下列繞射分析資料，使用者必須自行製備試樣或試片、自備可燒錄光碟（儲存分析資料）和自行判讀演繹資料。使用者必須瞭解所需分析資料種類為何，且原則上必須親身到場參與實驗分析，以免有誤。特殊需求或狀況，請先洽聯絡人或逕洽實驗室主持人研議。

(1). 岩石、礦物或其他固體材料粉末之繞射分析。

(2). 岩石、礦物或其他固體塊材之極圖繞射分析。

5. 樣品規格及注意事項:

使用者必須自行妥善製備試樣或試片，試樣或試片之一般性條件如下述，惟不同種類之樣品或不同分析需求會有不同限制條件，務請聯繫聯絡人確定詳細試片規範，以免無法進行分析。

1. 粉末須先經妥善研磨處理與乾燥。

2. 不接受具揮發性與毒性之粉末樣品或試片。

3. 若有其他特殊規格需求或疑問，請與管理人員聯絡。

4. 詳細使用規範及申請表單，請聯繫聯絡人確認。

1. 廠牌與型號:BRUKER, D8 Advance, Germany

2. 購置日期:2008.3

3. 儀器規格:

    a. 電壓40 kV、電流40 mA
    b. 靶材:銅 (λKα1=0.15405 nm)
    c. Detector: Sol-X、 Scintillation Counter
    d. 繞射角度(2θ):0-180°
    e. 具水平式樣品載台Centric Eulerian Cradle可控制樣品作五軸
    精確位移
    f. 軟體：NEW EVA；TOPAS 4.2；TEXEVAL 2.5；LEPTOS；
                    LaboTex 3.0.29；MTEX

4. 功能介紹:

分析一般僅提供下列繞射分析資料，使用者必須自行製備試樣或試片、自備可燒錄光碟（儲存分析資料）和自行判讀演繹資料。使用者必須瞭解所需分析資料種類為何，且原則上必須親身到場參與實驗分析，以免有誤。特殊需求或狀況，請先洽聯絡人或逕洽實驗室主持人研議。

(1). 岩石、礦物或其他固體材料粉末之繞射分析。

(2). 薄膜低掠角繞射分析（Thin film grazing incident diffraction）

(3). 岩石、礦物或其他固體塊材之組構分析（Texture analysis）（反射式）

(4). 殘餘應力分析（Residual stress）

(5). 搖幌曲線分析（Rocking Curve）

5. 樣品規格及注意事項:

使用者必須自行妥善製備試樣或試片，試樣或試片之一般性條件如下述，惟不同種類之樣品或不同分析需求會有不同限制條件，務請聯繫聯絡人確定詳細試片規範，以免無法進行分析。

(1). 粉末樣品須先經妥善研磨處理（粒徑小於50 μm）及乾燥。

(2). 樣品尺寸：

a. 塊材：直徑需小於2.6 cm、厚度需小於7 cm。

b. 薄膜：20 mm × 20 mm以下。

(3). 不接受具揮發性、毒性、磁性、腐蝕性、污染性之樣品。

(4). 若有其他特殊規格需求或疑問，請與管理人員聯絡。

(5). 詳細使用規範及申請表單，請聯繫聯絡人確認。

1. 廠牌與型號:

     (1). SEM: FEI, QUANTA FEG 250, Netherlands
     (2). SDD: Bruker, XFlash detector 730, Germany
     (3). EBSD: Bruker, e-Flash^HR, Germany

2. 購置日期:2012.11

3. 儀器規格:

    SEM:

   (1). 電子槍:Schottky型熱場發射電子槍
   (2). 解析度:
         A. 高真空
               a. SE, 1.0 nm at 30kV ; 3.0nm at 1kV
               b. BSE, 2.5 nm at 30kV ; 3.0nm at 1kV
         B. 低真空 
               a. SE, 1.4 nm at 30kV ; 3.0nm at 3kV
         C. 延伸真空(環境模式)
               a. SE, 1.4 nm at 30kV
   (3). 倍率: 20X~1,000,000X
   (4). 加速電壓:200V~ 30kV
   (4). 電子束電流:可連續調整，最高達200 nA

   EDS-SDD:

      Bruker XFlash detector 730
        a.偵測器:Silicon Drift Dector (SDD)
    b.解析度:FWHM=129 eV (MnKα₁)
    c.定性分析範圍:Be~U (Z=4~92)
    d.資料處理系統：
             Bruker Esprit 2.6

   EBSD:

      Bruker e -Flash^HR
         a. Native resolution 1600 x 1200 pixels.
         b. Pixel binning and speed: 35 patterns/s (native resolution); 55 patterns/s (2×2 binning) ; 90 patterns/s
             (4×4 binning); 120 patterns/s (8×8 binning) ; 150 patterns/s (16×16 binning); 160 patterns/s (20×20  
             bnning).
         c. Band detection and indexing with up to 3000 patterns/s.
         d. Fast re-indexing with up to 54000 patterns/s.
         e. Simultaneous EBSD and EDS acquisition at up to 930 patterns/s, supported by in-situ tilt feature to
             optimally position both detectors.
         f. High end 12 bit digital CCD camera.
         g. 34 × 25.5 mm phosphor screen.
         h. Data processed by Quantax CrystAlign software.

4. 功能介紹:

分析一般僅提供下列影像、繞射或EDS資料，使用者必須自行製備試片、自備可燒錄光碟（儲存分析資料）和自行判讀演繹資料。使用者必須瞭解所需分析對象及資料種類為何，且原則上必須親身到場參與實驗分析，以免有誤。特殊需求或狀況，請先洽聯絡人或逕洽實驗室主持人研議。

(1). 二次電子影像（Secondary electron image）

試片受電子束撞擊，產生低能量二次電子所成之掃瞄影像，影像明暗對比主要反映試片表面起伏特徵，可呈現表面立體形貌。

(2). 背向散射電子影像（Back-scattered electron image）

試片受電子束撞擊，產生高能量背向散射電子所成之掃瞄影像，影像明暗對比主要反映試片表層組成元素之平均原子序密度，可顯示不同成份之晶相的分佈關係和個別晶相成分變化。

(3). Ｘ光能量分散光譜分析（X-ray energy dispersive spectroscopic analysis；EDS）

試片受電子束撞擊，產生Ｘ光光譜，光譜中各元素之特徵能量峰線強度可定性或定量指示各元素含量之高低；使用適當礦物或化合物為標準品，可獲致準確度較高之定量分析。

(4). 電子背向散射繞射分析（Electron backscatter diffraction; EBSD）

試片中特定晶體受電子束撞擊，產生高能量背向散射電子，部份背向散射電子入射該晶體某些晶面符合布拉格定律時，產生繞射現象，行形菊池線圖譜，可協助鑑定晶相種類及結構，呈現晶相分佈製圖；定義晶體方位，呈現極圖、晶體方位分佈製圖和方位變化，進行顯微組構分析。

5. 樣品規格及注意事項:

使用者必須自行妥善製備試片，試片之一般性條件如下述，惟不同種類之樣品或不同分析需求會有不同限制條件，務請聯繫聯絡人確定詳細試片規範，以免無法進行分析。

1. 樣品若為不導電，事先須經妥善鍍碳或鍍金處理。

2. 擬進行EDS分析之試片，表面必須妥善拋光。

3. 粉末樣品務須先經儀器管理人員同意方可分析，須妥善檢查處理固定於載片，分析過程中，不可有飛散情形發生。

4. EBSD分析之試片須先經特殊拋光處理，以產生良好EBSD訊號。

5. 不接受具揮發性、毒性、磁性、腐蝕性或污染性之樣品。

6. 樣品尺寸：

（1）薄片：27.5 mm × 48.0 mm。

（2）光片或塊體：最大直徑30 mm，最大厚度15 mm，底部平整。

（3）EBDS：最大直徑25 mm，最大厚度10 mm，底部平整。

7. 詳細使用規範及申請表單，請聯繫聯絡人確認。

1. 廠牌與型號:Philips,TECNAI G2, Netherlands

2. 購置日期:2002.07

3. 儀器規格:

   (1). 解析度:Point 0.24 nm ； Lattice 0.14 nm
   (2). 倍率: 19X~910,000X
   (3). 加速電壓:200 kV
   (4). 基座傾斜角度:α±40 degree； β±30 degree
   (5). 附屬設備：離子薄化儀、窩穴研磨機、慢速切割機、暗      房

 4. 主要配件:

      EDS (B~U; EDAX)、STEM、CCD (~1k x 1k)

5. 功能介紹:

分析一般僅提供下列影像、繞射或EDS資料，使用者必須自行製備試片、自備可燒錄光碟（儲存分析資料）和自行判讀演繹資料。使用者必須瞭解所需分析對象及資料種類為何，且原則上必須親身到場參與實驗分析，以免有誤。特殊需求或狀況，請先洽聯絡人或逕洽實驗室主持人研議。

(1). 穿透電子顯微明、暗視野影像（Bright- or dark-field image）。

(2). 選區電子繞射圖像（Selected-area electron diffraction pattern）。

(3). 掃瞄穿透電子顯微影像（STEM image）。 

(4). EDS元素定性與定量分析。

6. 樣品規格及注意事項:

使用者必須自行妥善製備試片，試片之一般性條件如下述，惟不同種類之樣品或不同分析需求會有不同限制條件，務請聯繫聯絡人確定詳細試片規範，以免無法進行分析。

(1). 試片大小：直徑3 mm，擬分析區域之厚度應薄化至穿孔，或是100 nm以下。

(2). 非導電性材料請事先妥善鍍碳。

(3). 樣品上機前須先妥善充分乾燥。

(4). 電子束照射下會分解、揮發或具毒性之樣品，一律不接受。

(5). 強磁性、磁性或易被電磁透鏡吸引之金屬或非金屬粉末之樣品，一律不接受。

1. 廠牌與型號:JEOL JEE-4X, Japan

2. 購置日期:1992.03

3. 功能介紹:

篜鍍碳膜於電子顯微鏡試片。於高真空玻璃艙室中以高電流通過碳棒產生高熱汽化，篜鍍碳薄膜於非電導體試片，使其表面導電。一般狀況下，鍍碳適用於表面平整或經拋光之掃瞄式電子顯微鏡試片的形貌、組構和EDS成份分析，亦適用於經離子薄化之穿透式電子顯微鏡試片之相關分析。

4. 工作項目:

電子顯微鏡試片鍍碳。

5. 樣品規格及注意事項:

一般性條件如下述，惟不同種類之樣品或不同分析需求會有不同限制條件，務請聯繫聯絡人確定詳細試片規範，以免無法進行蒸鍍。

(1). 原則上使用者須自備碳棒，碳棒須維持清潔（無雜質）及乾燥。

(2). 樣品如有潮濕或具吸水性，請事先乾燥。

(3). 不接受具揮發性、毒性、磁性、腐蝕性、污染性之樣品。

(4). 試片尺寸：原則上以一般電子顯微鏡試片尺寸為限。

(5). 若有其他需求或疑問，請與管理人員聯絡。

(6). 詳細使用規範及申請表單，請聯繫聯絡人確認。

1. 廠牌與型號:SPI-MODULE

2. 購置日期:

3. 功能介紹:

  濺鍍金屬膜於電子顯微鏡試片。於真空玻璃艙室中，以高壓電極將惰性氣體離子化，產生電漿撞擊靶材（一般使用金材），使金屬原子沈澱於試片表面，形成薄膜。適用於表面起伏度稍大之非電導體試片，著重表面形貌分析。鍍金薄膜會顯著吸收Ｘ光或背向散射電子，影響背向散射電子影像和繞射及EDS成份分析。

4. 工作項目:

電子顯微鏡試片鍍金。

5. 樣品規格及注意事項:

一般性條件如下述，惟不同種類之樣品或不同分析需求會有不同限制條件，務請聯繫聯絡人確定詳細試片規範，以免無法進行蒸鍍。

(1). 樣品如有潮濕或具吸水性，請事先乾燥。

(2). 不接受具揮發性、毒性、磁性、腐蝕性、污染性之樣品。

(3). 試片尺寸：原則上以一般電子顯微鏡試片尺寸為限。

(4). 若有其他需求或疑問，請與管理人員聯絡。

(5). 詳細使用規範及申請表單，請聯繫聯絡人確認。

1. 廠牌與型號:GATAN MODEL600

2. 購置日期:1992.09

3. 功能介紹:

薄化無機材料之穿透式電子顯微鏡試片。運作方式是以離子化氬氣束（Ar）撞擊試片，使其減薄，以達到電子束可穿透之厚度（依電鏡類型而定，一般須小於100 nm，）。

4. 儀器規格：雙艙設計，可左、右艙分別進行薄化作業。

5. 分析服務項目:

穿透式電子顯微鏡試片離子薄化。

6. 樣品規格及注意事項:

一般性條件如下述，惟不同種類之樣品或不同分析需求會有不同限制條件，務請聯繫聯絡人確定詳細試片規範，以免無法進行蒸鍍。

(1). 原則上須自備試片載具。

(2). 樣品如有潮濕或具吸水性，請事先乾燥。

(3). 不接受具揮發性、毒性、磁性、腐蝕性、污染性之樣品。

(4). 試片尺寸以穿透式電子顯微鏡試片尺寸為限。

(5). 若有其他需求或疑問，請與管理人員聯絡。

(6). 詳細使用規範及申請表單，請聯繫聯絡人確認。